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GA22V10D-15LPI

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GA22V10D-15LPI PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

GA22V10D-15LPI 技術參數

GA20SICP12-263 功能描述:SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件狀態:有效類型:- 配置:- 電流:20A 電壓:1200V 電壓 - 隔離:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 標準包裝:50 GA20JT12-263 功能描述:TRANS SJT 1200V 45A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:- 零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:45A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 20A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3091pF @ 800V 功率 - 最大值:282W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:50 GA20JT12-247 功能描述:TRANS SJT 1.2KV 20A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 20A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:282W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247AB 標準包裝:30 GA200-015WD 功能描述:Pressure Sensor 0.54 PSI (3.74 kPa) Differential Male, 0.13" (3.2mm) Tube, Dual 0.25 V ~ 4 V 3-SIP Module 制造商:te connectivity measurement specialties 系列:Ares 零件狀態:過期壓力類型:差分工作壓力:0.54 PSI（3.74 kPa）輸出類型:模擬電壓輸出:0.25 V ~ 4 V 精度:±0.5% 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 端口尺寸:公型，0.13"（3.2mm）管，雙端口樣式:帶倒鉤特性:放大輸出，溫度補償端子類型:PCB 最高壓力:10 PSI（68.95 kPa）工作溫度:-25°C ~ 80°C 封裝/外殼:3-SIP 模塊供應商器件封裝:- 標準包裝:20 GA200-010WD 功能描述:Pressure Sensor 0.36 PSI (2.49 kPa) Differential Male, 0.13" (3.2mm) Tube, Dual 0.25 V ~ 4 V 3-SIP Module 制造商:te connectivity measurement specialties 系列:Ares 零件狀態:過期壓力類型:差分工作壓力:0.36 PSI（2.49 kPa）輸出類型:模擬電壓輸出:0.25 V ~ 4 V 精度:±0.5% 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 端口尺寸:公型，0.13"（3.2mm）管，雙端口樣式:帶倒鉤特性:放大輸出，溫度補償端子類型:PCB 最高壓力:10 PSI（68.95 kPa）工作溫度:-25°C ~ 80°C 封裝/外殼:3-SIP 模塊供應商器件封裝:- 標準包裝:20 GA-2D GA-2R GA30K5A1IA GA310 GA-311 GA342A1XGD270JW31L GA342A1XGD330JW31L GA342A1XGD390JW31L GA342A1XGD470JW31L GA342A1XGD560JW31L GA342A1XGD680JW31L GA342A1XGD820JW31L GA342A1XGF270JW31L GA342A1XGF330JW31L GA342A1XGF390JW31L GA342A1XGF470JW31L GA342A1XGF560JW31L GA342A1XGF820JW31L