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GA801MW19D3C

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功能描述
環形MIL規格后蓋
RoHS
否
制造商
Amphenol PCD
MIL 類型
MIL-DTL-38999 III, IV
系列
AS85049
產品類型
Environmental EMI/RFI Backshells
外殼類型
Straight
外殼大小
18
外殼材質
Aluminum Alloy

GA801MW19D3C 技術參數

GA5K3A1A 功能描述:NTC Thermistor 5k Bead 制造商:te connectivity measurement specialties 系列:I 包裝:散裝零件狀態:有效 25°C 時歐姆阻值:5k 電阻容差:±0.1°C B 值容差:±0.5% B0/50:- B25/50:- B25/75:- B25/85:3976K B25/100:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 功率 - 最大值:- 長度 - 引線:- 安裝類型:自由懸掛封裝/外殼:磁珠標準包裝:1 GA50SICP12-227 功能描述:SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件狀態:有效類型:- 配置:- 電流:50A 電壓:1200V 電壓 - 隔離:- 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標準包裝:10 GA50K6A1A 功能描述:NTC Thermistor 50k Bead 制造商:te connectivity measurement specialties 系列:I 包裝:散裝零件狀態:有效 25°C 時歐姆阻值:50k 電阻容差:±0.1°C B 值容差:±0.5% B0/50:- B25/50:- B25/75:- B25/85:4261K B25/100:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 功率 - 最大值:- 長度 - 引線:- 安裝類型:自由懸掛封裝/外殼:磁珠標準包裝:1 GA50JT17-247 功能描述:TRANS SJT 1.7KV 100A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 50A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:583W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 GA50JT12-247 功能描述:TRANS SJT 1.2KV 50A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 50A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7209pF @ 800V 功率 - 最大值:583W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247AB 標準包裝:30 GAA10007 GAA10008 GAA10009 GAA1238-115BB GAA1238-230BB GAA14001 GAA14002 GAA14003 GAA14004 GAA14005 GAA14005NC GAA14006 GAA14007 GAA14008 GAA14009 GAA16001 GAA16008 GAA3R501