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GB11300-0221

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GB11300-0221 技術參數

GB10SLT12-252 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:250μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:520pF @ 1V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 GB10SLT12-247D 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:12A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.9V @ 5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 GB10SLT12-220 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:40μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:520pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:50 GB10SLT12-214 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 制造商:genesic semiconductor 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應基本零件編號:GB10SLT12 標準包裝:1 GB100XCP12-227 功能描述:IGBT 1200V 100A SOT-227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.55nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GB1205PKV2-8AY.GN GB1205PKV3-8AY GB1205PKV3-8AY.GN GB1206AHV1-A.V1.B2170.GN GB1206PHV1-AY.GN GB1206PHV2-AY.GN GB1206PHV3-AY.GN GB1206PTV2-AY.13.Z.X.GN GB1235PDV3-8.Z.X.GN GB12417 GB1245PKV1-8AY.11.Z.X.GN GB15AH GB15AH-XA GB15AH-XB GB15AH-XC GB15AP GB15AP-XA GB15AP-XB