久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

<ul id="u84mm"></ul>

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > I字母型號搜索 > I字母第600頁 >

IRFP354PBF

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共9條
1

您是不是要找： IRFP360 IRFP360LC IRFP360LCPBF IRFP360PBF IRFP3703 IRFP3703PBF IRFP3710PBF IRFP4004PBF IRFP4110PBF

IRFP354PBF PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

IRFP354PBF PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
HEXFET®
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

IRFP354PBF 技術參數

IRFP250 功能描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:158nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2850pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF820 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:315pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 5.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRFP4127PBF IRFP4137PBF IRFP4227PBF IRFP4228PBF IRFP4229PBF IRFP4232PBF IRFP4310ZPBF IRFP4321PBF IRFP4332-203PBF IRFP4332PBF IRFP4368PBF IRFP440 IRFP440PBF IRFP4410ZPBF IRFP4468PBF IRFP448 IRFP448PBF IRFP450