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PDTB113ZT215

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PDTB113ZT215
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
4000
PHI
2012+
-
只做原裝正品。

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
BRT TRANSISTOR PNP -50V -500MA 1KOHM

PDTB113ZT215 技術參數

PDTB113ZT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:1 kOhms 電阻器 - 發射極基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標準包裝:1 PDTA144WT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 電阻器 - 發射極基底（R2）:22 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標準包裝:1 PDTA144WM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 電阻器 - 發射極基底（R2）:22 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTA144 標準包裝:1 PDTA144WE,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:22k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTA144TU,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323-3 基本零件編號:PDTA144 標準包裝:1 PDTB123ES,126 PDTB123ET,215 PDTB123EUF PDTB123EUX PDTB123TK,115 PDTB123TS,126 PDTB123TT,215 PDTB123YK,115 PDTB123YQAZ PDTB123YS,126 PDTB123YT,215 PDTB123YUF PDTB123YUX PDTB143EQAZ PDTB143ETR PDTB143ETVL PDTB143EUF PDTB143EUX