久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > P字母型號搜索 >

PHB32N06LTT/3

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " PHB32N06LTT/3 " 相關的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復發布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： PHB33NQ20T,118 PHB38N02LT,118 PHB45NQ10T,118 PHB45NQ15T,118 PHB47NQ10T,118 PHB55N03LTA,118 PHB-5R0H155-R PHB-5R0H255-R PHB-5R0H305-R

PHB32N06LTT/3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PHB32N06LTT/3 技術參數

PHB32N06LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1280pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:97W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PHB29N08T,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:27A（Tc）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:810pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:88W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 14A，11V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PHB27NQ10T,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1240pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:107W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 14A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PHB222NQ04LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:93.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7880pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 PHB21N06LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9.4nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:650pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:56W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PHB-5R0H505-R PHB-5R0V155-R PHB-5R0V255-R PHB-5R0V305-R PHB-5R0V505-R PHB66NQ03LT,118 PHB73N06T,118 PHB78NQ03LT,118 PHB95NQ04LT,118 PHB96NQ03LT,118 PHC.0B.302.CLLD42Z PHC.0B.303.CLLD35 PHC.0B.303.CLLD35Z PHC.0B.303.CLLD42Z PHC.0B.303.CLLD52Z PHC.0B.304.CLLD21 PHC.0B.304.CLLD42 PHC.0B.304.CLLD42Z