久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

<fieldset id="uyuw2"></fieldset>

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > P字母型號搜索 >

PMR205AC7100M220R30

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PMR205AC7100M220R30
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/周小姐/高先生
電話：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
958983
KEMET
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： PMR209MB5470M047R30 PMR209MB5470M100R30 PMR209MC6100M022R30 PMR209MC6100M047R30 PMR209MC6100M100R30 PMR209MC6100M220R30 PMR209MC6100M470R30 PMR209MC6220M022R30 PMR209MC6220M047R30

PMR205AC7100M220R30 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PMR205AC7100M220R30 PDF下載

功能描述
薄膜電容器 125volts 1.0uF 20% LS 20.3mm
RoHS
否
制造商
Cornell Dubilier
產品類型
電介質
Polyester
電容
0.047 uF
容差
10 %
電壓額定值
100 V
系列
225P
工作溫度范圍
- 55 C to + 85 C
端接類型
Radial
引線間隔
9.5 mm

PMR205AC7100M220R30 技術參數

PMR205AC6470M047R30 功能描述:RC EMI Filter 1st Order Low Pass 1 Channel R = 47 Ohms, C = 0.47μF Radial 制造商:kemet 系列:PMR205 包裝:散裝零件狀態:有效類型:低通濾波器階數:1st 技術:RC 通道數:1 中心/截止頻率:- 衰減值:- 電阻 - 通道（歐姆）:47 電流:- 數值:R = 47 歐姆，C = 0.47μF ESD 保護:無工作溫度:-40°C ~ 85°C 應用:通用電壓 - 額定:125VAC 安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向大小/尺寸:0.945" 長 x 0.299" 寬（24.00mm x 7.60mm）高度:0.551"（14.00mm）標準包裝:250 PMR10RI 功能描述:SENS PHOTO 10M SPDT 制造商:carlo gavazzi inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售感應距離:393.701"（10m）感應方法:反射輸出類型:- 響應時間:20ms，30ms 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊，導線引線工作溫度:-25°C ~ 55°C 標準包裝:1 PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），15.6W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 2.8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB48EP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:860pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMR209MC6220M100R30 PMR209MC6220M220R30 PMR209ME6470M047R30 PMR209ME6470M100R30 PMR209ME6470M220R30 PMR210MB5220M100R30 PMR210ME6100M100R30 PMR-2331 PM-R24 PM-R24-C3 PM-R24P PM-R24-R PM-R25 PM-R25-C3 PMR25HZPFU5L00 PMR25HZPFV1L00 PMR25HZPFV2L00 PMR25HZPFV3L00