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S3FN219

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S3FN219
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層
5000
SAMSUN
64TQFP
10+
-
原裝現(xiàn)貨優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

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S3FN219 技術(shù)參數(shù)

S3F8S7BXZZ-TW8B 功能描述:IC MCU 8BIT 64KB FLASH 80TQFP 制造商:zilog 系列:S3F8 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售核心處理器:SAM88RC 核心尺寸:8-位速度:12MHz 連接性:SIO，UART/USART 外設(shè):LCD，LVR，PWM，WDT I/O 數(shù):70 程序存儲(chǔ)容量:64KB（64K x 8）程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 容量:- RAM 容量:2K x 8 電壓 - 電源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器類型:內(nèi)部工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:80-TQFP 供應(yīng)商器件封裝:80-TQFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,190 S3F8S7BXZZ-QW8B 功能描述:IC MCU 8BIT 64KB FLASH 80QFP 制造商:zilog 系列:S3F8 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售核心處理器:SAM88RC 核心尺寸:8-位速度:12MHz 連接性:SIO，UART/USART 外設(shè):LCD，LVR，PWM，WDT I/O 數(shù):70 程序存儲(chǔ)容量:64KB（64K x 8）程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 容量:- RAM 容量:2K x 8 電壓 - 電源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器類型:內(nèi)部工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:80-BQFP 供應(yīng)商器件封裝:80-QFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:660 S3F8S6BXZZ-QT8A 功能描述:IC MCU 8BIT 64KB FLASH 80QFP 制造商:zilog 系列:S3F8 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售核心處理器:SAM88RC 核心尺寸:8-位速度:12MHz 連接性:SIO，UART/USART 外設(shè):LCD，LVR，PWM，WDT I/O 數(shù):54 程序存儲(chǔ)容量:64KB（64K x 8）程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 容量:- RAM 容量:2K x 8 電壓 - 電源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器類型:內(nèi)部工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:80-BQFP 供應(yīng)商器件封裝:80-QFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:66 S3F8S39XZZ-SO99 功能描述:IC MCU 8BIT 32KB FLASH 32SOIC 制造商:zilog 系列:S3F8 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售核心處理器:SAM8RC 核心尺寸:8-位速度:12MHz 連接性:I2C，SPI，UART/USART 外設(shè):LCD，LVD，LVR，PWM，WDT I/O 數(shù):26 程序存儲(chǔ)容量:32KB（32K x 8）程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 容量:- RAM 容量:1K x 8 電壓 - 電源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 16x10b 振蕩器類型:內(nèi)部工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:32-SOIC（0.450"，11.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:32-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:24 S3F8S39XZZ-LO89 功能描述:IC MCU 8BIT 32KB FLASH 32WFQFN 制造商:zilog 系列:S3F8 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售核心處理器:SAM8RC 核心尺寸:8-位速度:12MHz 連接性:I2C，SPI，UART/USART 外設(shè):LCD，LVD，LVR，PWM，WDT I/O 數(shù):26 程序存儲(chǔ)容量:32KB（32K x 8）程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 容量:- RAM 容量:1K x 8 電壓 - 電源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 16x10b 振蕩器類型:內(nèi)部工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:32-WFQFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:32-ELP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 S3GB M4G S3GB R5G S3GB-13 S3GB-13-F S3GBHM4G S3GBHR5G S3GB-TP S3GBTR S3G-E3/51T S3G-E3/57T S3G-E3/9AT S3GHE3/57T S3GHE3/9AT S3GHE3_A/H S3GHE3_A/I S3GHM3/57T S3GHM6G S3GHR7G

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