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SI9928DY-T1-GE3

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SI9928DY-T1-GE3
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
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地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
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SI9928DY-T1-GE3
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
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TY/臺灣半導體
SOP8
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SI9928DY-T1-GE3
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
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SI9928DY-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

SI9928DY-T1-GE3 技術參數

SI9913DY-T1-E3 功能描述:功率驅動器IC Dual MOSFET Driver RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube SI9912DY-T1-E3 功能描述:功率驅動器IC Dual MOSFET Driver RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube SI9912DY-E3 功能描述:功率驅動器IC H-Bridge MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube SI9910DY-T1-E3 功能描述:功率驅動器IC MOSFET Driver RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube SI9910DY-E3 功能描述:功率驅動器IC DRVR 1A Sngl. Non-Inv Hi Side RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube SI9945AEY-T1 SI9945BDY-T1-GE3 SI9955DY SI9961ACY-T1-E3 SI9976DY-E3 SI9976DY-T1-E3 SI9978DW-E3 SI9978DW-T1-E3 SI9979CS-E3 SI9979DS-E3 SI9986CY-E3 SI9986CY-T1-E3 SI9986DY-E3 SI9986DY-T1-E3 SI9987CY-E3 SI9987CY-T1-E3 SI9987DY-E3 SI9987DY-T1-E3