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STI12112118BVB-X

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STI12112118BVB-X 技術參數

STI11NM80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK（TO-262）標準包裝:50 STI10NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:540pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI10N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STHVDAC-256MTGF3 功能描述:DAC 7 bit Serial 20-Flip-Chip 制造商:stmicroelectronics 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:DAC 分辨率（位）:7 b 采樣率（每秒）:- 數據接口:串行電壓源:模擬和數字電壓 - 電源:1.65 V ~ 1.95 V， 2.3 V ~ 5 V 工作溫度:-30°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:20-UFBGA，FCBGA 供應商器件封裝:20-倒裝芯片標準包裝:1 STHVDAC-253MTGF3 功能描述:DAC 7 bit SPI 16-Flipchip (1.7x1.7) 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:DAC 分辨率（位）:7 b 采樣率（每秒）:- 數據接口:SPI 電壓源:模擬和數字電壓 - 電源:2.3 V ~ 5 V 工作溫度:-30°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-UFBGA，FCBGA 供應商器件封裝:16-覆晶（1.7x1.7）標準包裝:1 STI13005-1 STI13NM60N STI14NM50N STI14NM65N STI150N10F7 STI15NM60N STI15NM60ND STI16N65M5 STI16NM50N STI175N4F6AG STI17NF25 STI18N60M2 STI18N65M2 STI18N65M5 STI18NM60N STI19NM65N STI200N6F3 STI20N60M2-EP