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1SS322

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制造商
TOSHIBA
制造商全稱
Toshiba Semiconductor
功能描述
DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)

1SS322 技術參數

1SS319(TE85L,F) 功能描述:DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 40V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SC-61B 標準包裝:1 1SS315TPH3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基 - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:5V 電流 - 最大值:30mA 不同?Vr，F 時的電容:0.6pF @ 0.2V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:- 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 標準包裝:1 1SS309(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管配置:4 共陰極二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應商器件封裝:SMV 標準包裝:1 1SS308(TE85L,F 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管配置:4 共陽極二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應商器件封裝:SC-74A，5 迷你型塑模標準包裝:1 1SS307E,L3F 功能描述:DIODE SW GP 80V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:6pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:SC-79 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SS361CT(TPL3) 1SS361FV,L3F(T 1SS361LP3-7 1SS361LPH4-7B 1SS361UDJ-7 1SS362FV,L3F 1SS362TE85LF 1SS366-TB-E 1SS367,H3F 1SS370TE85LF 1SS374(TE85L,F) 1SS375-TL-E 1SS378(TE85L,F) 1SS379,LF 1SS380TE-17 1SS381,L3F 1SS382TE85LF 1SS383(TE85L,F)