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M29W320DB70N6

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功能描述
閃存 4Mx8 or 2Mx16 70ns
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
數(shù)據(jù)總線寬度
1 bit
存儲(chǔ)類型
Flash
存儲(chǔ)容量
2 MB
結(jié)構(gòu)
256 K x 8
定時(shí)類型
接口類型
SPI
訪問時(shí)間
電源電壓-最大
3.6 V
電源電壓-最小
2.3 V
最大工作電流
15 mA
工作溫度
- 40 C to + 85 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
封裝
Reel

M29W320DB70N6 技術(shù)參數(shù)

M29W320DB70N3F 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 3V 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20）包裝:托盤 M29W320DB70N3E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP M29W256GSL70ZS6F 功能描述:SECURE 256MB 3V 70NS LBP 64LBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) M29W256GSL70ZS6E 功能描述:IC FLASH SEC 128MB 3V LBP 64LBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) M29W256GSH70ZS6F 功能描述:IC FLASH SEC 256MB 3V HBP 64LBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) M29W320DB7AN6F TR M29W320DB7AZA6E M29W320DB7AZA6F TR M29W320DB80ZA3E M29W320DB80ZA3F TR M29W320DB90N6 M29W320DT70N3E M29W320DT70N3F M29W320DT70N3F TR M29W320DT70N6E M29W320DT70N6F M29W320DT70N6F TR M29W320DT70ZE6E M29W320DT70ZE6F M29W320DT70ZE6F TR M29W320DT90N6 M29W320EB70N6 M29W320EB70N6E

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