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PD57045S-E

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功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F.
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

PD57045S-E 技術參數

PD57030S-E 功能描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:945MHz 增益:14dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:4A 噪聲系數:- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:30W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:PowerSO-10RF（直引線）標準包裝:50 PD57030-E 功能描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:945MHz 增益:14dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:4A 噪聲系數:- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:30W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:50 PD57018TR-E 功能描述:TRANSISTOR RF POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:LDMOS 頻率:945MHz 增益:16.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:2.5A 噪聲系數:- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:18W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）供應商器件封裝:PowerSO-10RF（成形引線）標準包裝:1 PD57018STR-E 功能描述:TRANSISTOR RF POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:LDMOS 頻率:945MHz 增益:16.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:2.5A 噪聲系數:- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:18W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:PowerSO-10RF（直引線）標準包裝:1 PD57018S-E 功能描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:945MHz 增益:16.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:2.5A 噪聲系數:- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:18W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:PowerSO-10RF（直引線）標準包裝:50 PD57-1-1160-TMCL PD57-1-1161 PD57-2-1160-CANOPEN PD57-2-1160-TMCL PD57-2-1161 PD5A235 PD5A245 PD5A335 PD5A345 PD5A535 PD5A545 PD5AA47 PD5AA57 PD5AB47 PD5AB57 PD5AC47 PD5AC57 PD5B235