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PDTC143TE,115

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PDTC143TE,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN W/RES 50V
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶體管極性
NPN/PNP
典型輸入電阻器
典型電阻器比率
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
直流集電極/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作頻率
集電極—發射極最大電壓 VCEO
50 V
集電極連續電流
150 mA
峰值直流集電極電流
功率耗散
200 mW
最大工作溫度
封裝
Reel

PDTC143TE,115 技術參數

PDTC143EU,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 kOhms 電阻器 - 發射極基底（R2）:4.7 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323-3 基本零件編號:DTC143 標準包裝:1 PDTC143ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 kOhms 電阻器 - 發射極基底（R2）:4.7 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）基本零件編號:DTC143 標準包裝:1 PDTC143EM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 kOhms 電阻器 - 發射極基底（R2）:4.7 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:DTC143 標準包裝:1 PDTC143EEF,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:4.7k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:SC-89 標準包裝:1 PDTC143EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:4.7k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTC143XEF,115 PDTC143XK,115 PDTC143XM,315 PDTC143XMB,315 PDTC143XQAZ PDTC143XS,126 PDTC143XT,215 PDTC143XTVL PDTC143XU,115 PDTC143ZE,115 PDTC143ZEF,115 PDTC143ZK,115 PDTC143ZM,315 PDTC143ZMB,315 PDTC143ZQAZ PDTC143ZS,126 PDTC143ZT,215 PDTC143ZT,235