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PH75A28028

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封裝
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價格
說明
操作

PH75A28028
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
TDK-Lambda Americas Inc.
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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1

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功能描述
DC/DC CONVERTER 28V 2.7A PCB
制造商
tdk-lambda americas inc.
系列
PH-A280
包裝
散裝
零件狀態
有效
類型
隔離模塊
輸出數
1
電壓 - 輸入（最小值）
200V
電壓 - 輸入（最大值）
425V
電壓 - 輸出 1
28V
電壓 - 輸出 2
-
電壓 - 輸出 3
-
電流 - 輸出（最大值）
2.7A
功率（W） - 制造系列
75W
電壓 - 隔離
3kV（3000V）
應用
ITE（商業）
特性
遠程開/關，OCP，OVP
安裝類型
通孔
封裝/外殼
8-DIP 模塊，1/4 磚
大小/尺寸
2.30" 長 x 1.46" 寬 x 0.50" 高（58.3mm x 37.2mm x 12.7mm）
工作溫度
-40°C ~ 85°C
效率
90%
功率（W） - 最大值
75W
標準包裝
1

PH75A28028 技術參數

PH75A28015 功能描述:DC/DC CONVERTER 15V 5A PCB 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-A280 包裝:散裝零件狀態:有效類型:隔離模塊輸出數:1 電壓 - 輸入（最小值）:200V 電壓 - 輸入（最大值）:425V 電壓 - 輸出 1:15V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出（最大值）:5A 功率（W） - 制造系列:75W 電壓 - 隔離:3kV（3000V）應用:ITE（商業）特性:遠程開/關，OCP，OVP 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP 模塊，1/4 磚大小/尺寸:2.30" 長 x 1.46" 寬 x 0.50" 高（58.3mm x 37.2mm x 12.7mm）工作溫度:-40°C ~ 85°C 效率:90% 功率（W） - 最大值:75W 標準包裝:1 PH7030L,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 68A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:68A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.9 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1362pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 PH6530AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 PH6325L,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:78.7A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1871pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PH5330E,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2010pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 PH75F110-5 PH75F280-12 PH75F280-15 PH75F280-2 PH75F280-24 PH75F280-28 PH75F280-3 PH75F280-5 PH75F48-12 PH75F48-15 PH75F48-2 PH75F48-24 PH75F48-28 PH75F48-3 PH75F48-5 PH75S110-12 PH75S110-15 PH75S110-24