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PSMN6R3-120ESQ

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PSMN6R3-120ESQ
    PSMN6R3-120ESQ

    PSMN6R3-120ESQ

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN6R3-120ESQ
    PSMN6R3-120ESQ

    PSMN6R3-120ESQ

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 2395

  • NXP SEMIC

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • PSMN6R3-120ESQ
    PSMN6R3-120ESQ

    PSMN6R3-120ESQ

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

  • 9133

  • NXP

  • TO-262

  • 14+

  • -

  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
PSMN6R3-120ESQ PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 120V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 70A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 207.1nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 11384pF @ 60V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 405W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 6.7 毫歐 @ 25A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • I2PAK
  • 封裝/外殼
  • TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 50
PSMN6R3-120ESQ 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN6R1-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:66A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:817pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:47W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 基本零件編號:PSMN6R1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN6R1-25MLDX 功能描述:PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:702pF @ 12V FET 功能:肖特基二極管（體） 功率耗散（最大值）:42W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.24 毫歐 @ 15A， 10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN6R0-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:66A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:832pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:47W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 基本零件編號:PSMN6R0 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN6R0-30YLB,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:71A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:19nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1088pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:58W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN6R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:79A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1425pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:55W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN7R0-100ES,127 PSMN7R0-100PS,127 PSMN7R0-100XS,127 PSMN7R0-30MLC,115 PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-40LS,115 PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R5-25YLC,115 PSMN7R5-30MLDX PSMN7R5-30YLDX PSMN7R5-60YLX PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60PS,127 PSMN7R6-60XSQ PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-120ESQ
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