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SI1405DL-T1-GE3

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操作

SI1405DL-T1-GE3
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
82490
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功能描述
MOSFET P-CH 8V SC-70-6
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
TrenchFET®
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

SI1405DL-T1-GE3 技術參數

SI1153-AA9X-GMR 功能描述:Optical Sensor Ambient, Gesture 525nm I2C 10-LLGA 制造商:silicon labs 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:環境，手勢波長:525nm 接近探測:是輸出類型:I2C 電壓 - 電源:1.62 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:10-LLGA 供應商器件封裝:10-LGA（4.90x2.85）標準包裝:1 SI1153-AA09-GMR 功能描述:Optical Sensor Ambient, Gesture 525nm I2C 10-WFQFN 制造商:silicon labs 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:環境，手勢波長:525nm 接近探測:是輸出類型:I2C 電壓 - 電源:1.62 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:10-WFQFN 供應商器件封裝:10-DFN（2x2）標準包裝:1 SI1153-AA00-GMR 功能描述:Optical Sensor Ambient, Gesture 525nm I2C 10-WFQFN 制造商:silicon labs 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:環境，手勢波長:525nm 接近探測:是輸出類型:I2C 電壓 - 電源:1.62 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:10-WFQFN 供應商器件封裝:10-DFN（2x2）標準包裝:1 SI1147-M01-GMR 功能描述:Optical Sensor IR 850nm I2C 10-SMD Module (No Lead) 制造商:silicon labs 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:IR 波長:850nm 接近探測:是輸出類型:I2C 電壓 - 電源:1.71 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:10-SMD 模塊（無引線）供應商器件封裝:10-QFN（4.9x2.9）標準包裝:1 SI1147-M01-EVB 功能描述:Si1145-M01, Si1146-M01, Si1147-M01 - Light and Proximity Sensor Evaluation Board 制造商:silicon labs 系列:- 零件狀態:有效傳感器類型:光線和近程感應范圍:- 接口:I2C 靈敏度:- 電壓 - 電源:1.71 V ~ 3.6 V 嵌入式:- 所含物品:2 板，線纜使用的 IC/零件:Si1145-M01，Si1146-M01，Si1147-M01 標準包裝:1 SI1414DH-T1-GE3 SI1416EDH-T1-GE3 SI1417EDH-T1-E3 SI1417EDH-T1-GE3 SI1419DH-T1-E3 SI1422DH-T1-GE3 SI1424EDH-T1-GE3 SI1426DH-T1-E3 SI1426DH-T1-GE3 SI1427EDH-T1-GE3 SI1428EDH-T1-GE3 SI1431DH-T1-E3 SI1431DH-T1-GE3 SI1433DH-T1-E3 SI1433DH-T1-GE3 SI1441EDH-T1-GE3 SI1442DH-T1-GE3 SI1443EDH-T1-GE3