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SI2325DS-T1-E3..

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SI2325DS-T1-E3.. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

SI2325DS-T1-E3.. 技術參數

SI2304DS,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:117 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:195pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 SI2302DS,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 3.6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:650mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 SI2196-A10-GMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:WORLDWIDE HYBRID ANALOG AND DIGITAL TV TUNER WITH ANALOG VID - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN SI2196-A10-GM 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN RoHS:是類別:RF/IF 和 RFID >> RF 接收器系列:* 產品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產品變化通告:Product Discontinuation 09/Jan/2012 標準包裝:50 系列:* 頻率:850MHz ~ 2.175GHz 靈敏度:- 數據傳輸率 - 最大:- 調制或協議:- 應用:* 電流 - 接收:* 數據接口:PCB，表面貼裝存儲容量:- 天線連接器:PCB，表面貼裝特點:- 電源電壓:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:0°C ~ 85°C 封裝/外殼:40-WFQFN 裸露焊盤供應商設備封裝:40-TQFN-EP（6x6）包裝:托盤 SI2185-A10-GMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:HYBRID DIGITAL AND ANALOG TV RECEIVER FOR DVB-T/C, PAL/SECAM - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 48-QFN SI2333CDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-GE3 SI2333-TP SI2334DS-T1-GE3 SI2335DS-T1-E3 SI2335DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 SI2341DS-T1-E3 SI2341DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 SI2343DS-T1 SI2343DS-T1-E3