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SIE836DF-T1-GE3

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功能描述
MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

SIE836DF-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)

SIDEGIG-GUITAREVM 功能描述:EVALUATION MODULE 制造商:texas instruments 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售技術(shù):磁耦合通道數(shù):1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時(shí)間（典型值）:90ns，81ns 電流 - 輸出高，低:3.6A，4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線供應(yīng)商器件封裝:eSOP-R16B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:管件零件狀態(tài):在售技術(shù):磁耦合通道數(shù):1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時(shí)間（典型值）:90ns，81ns 電流 - 輸出高，低:3.6A，4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線供應(yīng)商器件封裝:eSOP-R16B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 SIE864DF-T1-GE3 SIE868DF-T1-GE3 SIE874DF-T1-GE3 SIE876DF-T1-GE3 SIE878DF-T1-GE3 SIE882DF-T1-GE3 SI-EPD006460EU SI-EPD006550KR SI-EPD006570WW SI-EPD006580EU SI-EPF006400WW SI-EPF006440WW SI-EPF006450WW SI-EPF006480EU SI-EPF006640WW SI-EPF006650WW SI-EPF006660WW SI-EPF007040WW

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