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STD350BLK

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STD350BLK
深圳市引芯科技發(fā)展有限公司
深圳市引芯科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部經(jīng)理：林小姐
電話：0755-8334178913421397528
地址：深圳市福田區(qū)福華路世貿(mào)廣場(chǎng)C座1106/香港辦事處:香港大理石
1076
VCC
標(biāo)準(zhǔn)封裝
25+
-
真實(shí)的資源竭誠(chéng)服務(wù)您！

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共1條
1

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功能描述
LED 安裝硬件 .2" DIA X .35" BLACK
RoHS
否
制造商
Bivar
產(chǎn)品
LED Mounting Clips
LED 大小
5 mm
材料
Nylon
顏色
Black
主體長(zhǎng)度
4.4 mm
面板厚度尺寸
封裝
Bulk

STD350BLK 技術(shù)參數(shù)

STD30PF03LT4 功能描述:MOSFET P-CH 30V 24A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1670pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD30NF06T4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 28A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1750pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD30NF06LT4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:31nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD30NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 28A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1750pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD30NF03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:830pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 STD38NH02LT4 STD3LN62K3 STD3LN80K5 STD3N40K3 STD3N62K3 STD3N80K5 STD3NK100Z STD3NK50Z-1 STD3NK50ZT4 STD3NK60Z-1 STD3NK60ZD STD3NK60ZT4 STD3NK80Z-1 STD3NK80ZT4 STD3NK90ZT4 STD3NM50T4 STD3NM60-1 STD3NM60N

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