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STFN42

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廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

STFN42
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3526
ST
SOT-89-3
14+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫(kù)存，400-800-03...

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共11條
1

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功能描述
TRANSISTOR PLANAR BIPO SOT-89
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
1A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
30V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
200mV @ 100mA，1A
電流 - 集電極截止（最大）
100nA
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)
300 @ 500mA，5V
功率 - 最大
710mW
頻率 - 轉(zhuǎn)換
100MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
Digi-Reel®
其它名稱
MMBT489LT1GOSDKR

STFN42 技術(shù)參數(shù)

STFILED625 功能描述:MOSFET N-CH 620V I2PAK-FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:560pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STFI9N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STFI8N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:950 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:450pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STFI7N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6A I2PAK-FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:360pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STFI7LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.15 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STFU18N65M2 STFU24N60M2 STFU28N65M2 STFU6N65 STFV3N150 STFV4N150 STFW12N120K5 STFW1N105K3 STFW20N65M5 STFW24N60M2 STFW2N105K5 STFW38N65M5 STFW3N150 STFW3N170 STFW40N60M2 STFW42N60M2-EP STFW45N65M5 STFW4N150

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