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STGD3NB60SD-1

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STGD3NB60SD-1
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ST
原廠原裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

STGD3NB60SD-1
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

STGD3NB60SD-1
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
18744
ST/意法
IPAKTO-251
22+
-

STGD3NB60SD-1
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3526
ST
D-Pak
14+
-
原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

STGD3NB60SD-1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
TO-251
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

1/1頁 40條/頁共17條
1

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功能描述
IGBT 晶體管 N Ch 3A 600V
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發射極最大電壓
20 V
在25 C的連續集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGD3NB60SD-1 技術參數

STGD3NB60FT4 功能描述:IGBT 600V 6A 60W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，3A 功率 - 最大值:60W 開關能量:125μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:16nC 25°C 時 Td（開/關）值:12.5ns/105ns 測試條件:480V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:45ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STGD3HF60HDT4 功能描述:IGBT 600V 7.5A 38W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7.5A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):18A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.95V @ 15V，1.5A 功率 - 最大值:38W 開關能量:19μJ（開），12μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:12nC 25°C 時 Td（開/關）值:11ns/60ns 測試條件:400V，1.5A，100 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:85ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STGD25N40LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:435V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.25V @ 4V，6A 功率 - 最大值:125W 開關能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:26nC 25°C 時 Td（開/關）值:1.1μs/4.6μs 測試條件:300V，10A，1 千歐，5V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STGD20N45LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.25V @ 4V，6A 功率 - 最大值:125W 開關能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:26nC 25°C 時 Td（開/關）值:1.1μs/4.6μs 測試條件:300V，10A，1 千歐，5V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STGD20N40LZ 功能描述:IGBT 390V 25A 125W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:390V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.6V @ 4V，6A 功率 - 最大值:125W 開關能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:24nC 25°C 時 Td（開/關）值:700ns/4.3μs 測試條件:300V，10A，1 千歐，5V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STGD6NC60HT4 STGD7NB120S-1 STGD7NB120ST4 STGD7NB60KT4 STGD7NB60ST4 STGD7NC60HT4 STGD8NC60KDT4 STGD8NC60KT4 STGDL6NC60DIT4 STGDL6NC60DT4 STGE200N60K STGE200NB60S STGE50NB60HD STGE50NC60VD STGE50NC60WD STGF10H60DF STGF10M65DF2 STGF10NB60SD