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STH175N4F6-2AG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STH175N4F6-2AG
    STH175N4F6-2AG

    STH175N4F6-2AG

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人：李林

    電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3

    地址：深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 13740

  • ST

  • H2PAK-2

  • 24+

  • -

  • 全新原裝正品現(xiàn)貨特價

  • STH175N4F6-2AG
    STH175N4F6-2AG

    STH175N4F6-2AG

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • H2PAK-2

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • STH175N4F6-2AG
    STH175N4F6-2AG

    STH175N4F6-2AG

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STH175N4F6-2AG
    STH175N4F6-2AG

    STH175N4F6-2AG

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ST/意法半導體

  • H2PAK-2

  • 22+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • STH175N4F6-2AG
    STH175N4F6-2AG

    STH175N4F6-2AG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • STMICROEL

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • STH175N4F6-2AG
    STH175N4F6-2AG

    STH175N4F6-2AG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • H2PAK-2

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
STH175N4F6-2AG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • 汽車級，AEC-Q101，STripFET? F6
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 120A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 2.4 毫歐 @ 60A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 130nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 7735pF @ 20V
  • 功率 - 最大值
  • 150W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型
  • 供應商器件封裝
  • H2Pak-2
  • 標準包裝
  • 1
STH175N4F6-2AG 技術參數(shù)
  • STH170N8F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8710pF @ 40V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:H2Pak-2 標準包裝:1 STH160N4LF6-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:181nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8130pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應商器件封裝:H2Pak-2 標準包裝:1 STH15NB50FI 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3400pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:ISOWATT-218-3 供應商器件封裝:ISOWATT-218 標準包裝:30 STH150N10F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:110A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 55A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:117nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8115pF @ 50V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 STH145N8F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 90A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6340pF @ 40V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應商器件封裝:H2Pak-2 標準包裝:1 STH-20 STH210N75F6-2 STH-22 STH240N10F7-2 STH240N10F7-6 STH240N75F3-2 STH240N75F3-6 STH245N75F3-6 STH250N55F3-6 STH250N6F3-6 STH260N6F6-2 STH260N6F6-6 STH265N6F6-2AG STH265N6F6-6AG STH270N4F3-2 STH270N4F3-6 STH270N8F7-2 STH270N8F7-6
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