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STL220N6F7
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集好芯城
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聯系人：陳先生 13360533550
電話：0755-83289799
地址：深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層香港新界葵興葵康大廈6樓
資質：營業執照
14758
ST(意法)
22+
-
原裝原廠現貨

STL220N6F7
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
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865000
ST
QFN
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STL220N6F7
北京京北通宇電子元件有限公司
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聯系人：張
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資質：營業執照
0
STMICROELECTRONICS
con
24+
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集成電路（IC）

STL220N6F7
北京天陽誠業科貿有限公司
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聯系人：洪先生
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資質：營業執照
0
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成電路（IC）

STL220N6F7
深圳市歐和寧電子有限公司
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聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
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39800
ST
DFN
新年份
-
一級代理全新原裝現貨特價！

STL220N6F7
深圳市英科美電子有限公司
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聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
DFN5X6
22+
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每一片都來自原廠，正品保證

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深圳市毅創輝電子科技有限公司
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聯系人：雷春艷
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資質：營業執照
5000
STMICROEL
1521+
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全新原裝現貨

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深圳市華芯源電子有限公司
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聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
6005
ST/意法半導體
PowerFLAT-5x6-8
21+
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原裝正品現貨可開增值稅發票

STL220N6F7
深圳市百潤電子有限公司
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聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
1
ST
DFN5x6
23+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

STL220N6F7IC
深圳市百域芯科技有限公司
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聯系人：汪小姐
電話：19240207240
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
20000
ST/意法
DFN5X6
24+
-
優勢供應品質保障可開13點發票

STL220N6F7
科創特電子（香港）有限公司
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聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
33000
ST MICROELECTRONICS
價格優勢
2440
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功能描述
MOSFET N-CH 60V 260A 8PWRFLAT
制造商
stmicroelectronics
系列
STripFET? F7
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
260A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
1.4 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
100nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
6600pF @ 25V
功率 - 最大值
4.8W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商器件封裝
PowerFLAT（6x5）
標準包裝
1

STL220N6F7 技術參數

STL220N3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:220A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8650pF @ 25V 功率 - 最大值:113W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL21N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:179 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1950pF @ 100V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL20NM20N 功能描述:MOSFET N-CH 200V 20A PWRFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標準包裝:1 STL20N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.4 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3）標準包裝:1 STL20DN10F7 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:408pF @ 50V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL-250-3-01 STL-250-8-01 STL25N15F3 STL25N15F4 STL25N60M2-EP STL260N3LLH6 STL26NM60N STL285N4F7AG STL28N60DM2 STL2N80K5 STL30N10F7 STL30P3LLH6 STL31N65M5 STL-3-250-3-01 STL-3-250-8-01 STL-3-350-3-01 STL-3-350-8-01 STL33N60DM2

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