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STL86N3LLH6AG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STL86N3LLH6AG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STL86N3LLH6AG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
DFN5X6
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STL86N3LLH6AG
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
6007
ST/意法半導體
PowerFLAT-5x6-8
22+
-
原裝正品現貨可開增值稅發票

1/1頁 40條/頁共10條
1

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STL86N3LLH6AG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 80A PWRFLAT56
制造商
stmicroelectronics
系列
汽車級，AEC-Q101，STripFET? H6
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
80A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
5.2 毫歐 @ 10.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
17nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
2030pF @ 25V
功率 - 最大值
60W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商器件封裝
PowerFlat?（5x6）
標準包裝
1

STL86N3LLH6AG 技術參數

STL85N6F3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:85A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3400pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標準包裝:1 STL80N75F6 功能描述:MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7120pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL80N4LLF3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2530pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標準包裝:1 STL80N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1690pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL7NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:68W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:14-PowerFLAT? 供應商器件封裝:14-PowerFLAT?（5x5）標準包裝:1 STL8N10LF3 STL8N65M2 STL8N65M5 STL8N6F7 STL8N6LF3 STL8N6LF6AG STL8N80K5 STL8NH3LL STL8P2UH7 STL8P4LLF6 STL90N10F7 STL90N3LLH6 STL90N6F7 STL92N10F7AG STL9N3LLH5 STL9N60M2 STL9N65M2 STL9P2UH7