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STS-1200-2.0-57#

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STS-1200-2.0-57# PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STS-1200-2.0-57# 技術參數

STS11NF30L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1440pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS11N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:724pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS110003L360500U129 功能描述:PTC Thermistor 1k Ohm Radial 制造商:cantherm 系列:STS1 包裝:* 零件狀態:在售 25°C 時歐姆阻值:1k 電阻容差:±3% 工作溫度:-40°C ~ 170°C 功率 - 最大值:10mW 安裝類型:自由懸掛封裝/外殼:徑向供應商器件封裝:* 標準包裝:50 STS110003L360500G918 功能描述:PTC Thermistor 1k Ohm Radial 制造商:cantherm 系列:STS1 包裝:* 零件狀態:在售 25°C 時歐姆阻值:1k 電阻容差:±3% 工作溫度:-40°C ~ 170°C 功率 - 最大值:10mW 安裝類型:自由懸掛封裝/外殼:徑向供應商器件封裝:* 標準包裝:50 STS110003CHIP 功能描述:PTC Thermistor 1k Ohm Axial 制造商:cantherm 系列:STS1 包裝:* 零件狀態:在售 25°C 時歐姆阻值:1k 電阻容差:±3% 工作溫度:-40°C ~ 170°C 功率 - 最大值:10mW 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:* 標準包裝:500 STS13N3LLH5 STS1400PC STS141RA STS14N3LLH5 STS15N4LLF3 STS15N4LLF5 STS17NF3LL STS17NH3LL STS19N3LLH6 STS1DN45K3 STS1DNC45 STS1DNF20 STS1HNK60 STS1NK60Z STS1TXQTR STS2 STS20N3LLH6 STS21