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STS1980-AT

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STS1980-AT
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
AUK
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

STS1980-AT
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
AUK
TO92
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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STS1980-AT 技術(shù)參數(shù)

STS17NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1810pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS17NF3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2160pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS15N4LLF5 功能描述:MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.7 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1570pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS15N4LLF3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2530pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS14N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 STS21 STS210101CHIP STS210101L360500G918 STS210101L360500U129 STS220PC STS2300PC STS230PC STS2400PC STS240PC STS250PC STS25NH3LL STS25NH3LL-E STS260PC STS26N3LLH6 STS2DNF30L STS2DPF80 STS2DPFS20V STS-30-DIS

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