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STS1HNC60

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說明
操作

STS1HNC60
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：張育豪 13360528695
電話：0755-23607487
地址：深圳市福田區華富路1006號航都大廈11樓一層
資質：營業執照
3500
ST/意法
SOP-8
22+
-
原廠原裝現貨

STS1HNC60
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
ST
原廠封裝
最新
-
全新原裝100%正品保證質量

STS1HNC60
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
ST
原廠封裝
最新
-

STS1HNC60
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ST
SOP8
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

STS1HNC60
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
5992
ST
SOP8
21+
-
原裝正品現貨，支持BOM配單！

STS1HNC60
深圳市訊順達科技有限公司
深圳市訊順達科技有限公司
聯系人：卓小姐/蔡小姐/莊小姐
電話：0755-827272340755-23915567
地址：深圳市福田區華強北路1019號華強廣場A座15KL
資質：營業執照
4200
ST
原廠封裝
23+
-
全新原裝歡迎詢價下單

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1

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STS1HNC60 PDF下載

制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全稱
STMicroelectronics
功能描述
N-CHANNEL 600V - 7ohm - 0.4A SO-8 PowerMesh⑩II MOSFET

STS1HNC60 技術參數

STS1DNC45 功能描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:450V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:400mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS1DN45K3 功能描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:450V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS19N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 9.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1690pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS17NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1810pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS17NF3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2160pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS220PC STS2300PC STS230PC STS2400PC STS240PC STS250PC STS25NH3LL STS25NH3LL-E STS260PC STS26N3LLH6 STS2DNF30L STS2DPF80 STS2DPFS20V STS-30-DIS STS30N3LLH6 STS-31-DIS STS3C2F100 STS3DNE60L