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STTH3L06U/BKN

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STTH3L06U/BKN 技術參數(shù)

STTH3L06U 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:85ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 STTH3L06S 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:85ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:SMC 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 STTH3L06B-TR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:85ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 STTH3L06B 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:85ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 STTH3L06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:85ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 STTH3R04QRL STTH3R04RL STTH3R04S STTH3R04U STTH3R06 STTH3R06RL STTH3R06S STTH3R06U STTH3R06UFY STTH40P03SFP STTH40P03ST STTH4L06 STTH4L06Q STTH4L06QRL STTH4L06RL STTH4R02 STTH4R02B STTH4R02B-TR