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STU40N2LH5

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型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

STU40N2LH5
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3526
ST
I-Pak
14+
-
原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

STU40N2LH5
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
st
TO-251
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STU40N2LH5
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
IPAK/TO-251
25+
-
國產品牌，替代進口

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STU40N2LH5 PDF下載

功能描述
MOSFET N-channel 25 V 40 A DPAK IPAK
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STU40N2LH5 技術參數

STU3N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:130pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU3N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 1.4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:385pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU3N45K3 功能描述:MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:450V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:27W 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU3LN80K5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.63nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:102pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.25 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:IPAK（TO-251）封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 標準包裝:3,000 STU3LN62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:386pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STU60N3LH5 STU60N55F3 STU65N3LLH5 STU6N60M2 STU6N62K3 STU6N65K3 STU6N65M2 STU6N90K5 STU6N95K5 STU6NF10 STU70N2LH5 STU75N3LLH6 STU75N3LLH6-S STU7LN80K5 STU7N105K5 STU7N60M2 STU7N65M2 STU7N80K5