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STY50N105DK5

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STY50N105DK5
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
PLUS247,Max247
25+
-
國產品牌，替代進口

STY50N105DK5
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
6000
ST/意法半導體
Max247-3
22+
-
原裝正品現貨可開增值稅發票

STY50N105DK5
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
600
STMICROELECTRONICS
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現貨庫存F

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1

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STY50N105DK5 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STY50N105DK5 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247
制造商
stmicroelectronics
系列
SuperMESH5??
包裝
管件
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1050V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
44A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
175nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
6600pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
625W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
120 毫歐 @ 22A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
MAX247?
封裝/外殼
TO-247-3
標準包裝
30

STY50N105DK5 技術參數

STY34NB50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 34A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:223nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9100pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STY30NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 26A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:26A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:490nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12000pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STY145N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 138A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:138A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 69A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:414nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18500pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STY140NS10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 140A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:140A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 70A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:600nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STY139N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 130A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 65A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:363nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15600pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 STZB-SK/RAIS STZC6.8NT146 STZD3155CT1G SU-1 SU-1/2 SU-1/4 SU-10 SU10000RT3U SU10000RT3U2TF SU10000RT3UG SU1000RTXL2U SU1000RTXL2UA SU1000RTXL2UN SU1000RTXLCD2U SU1000XLA SU1000XLCD SU10K SU10K3/1X