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6A05-6A10

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6A05-6A10 技術參數

6A05 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 6A04-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 6A P600 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:100pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:P600，軸向供應商器件封裝:P600 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 6A04B-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:100pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:250 6A02-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:100pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:250 6A02B-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:100pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:250 6A06B-G 6A06-G 6A08B-G 6A08-G 6A1 6A10 6A100G A0G 6A100G B0G 6A100G R0G 6A100GHA0G 6A100GHB0G 6A100GHR0G 6A10B-G 6A10-G 6A10G A0G 6A10G B0G 6A10G R0G 6A10GHA0G