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DS1345YL-100-IND

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制造商
DALLAS
制造商全稱
Dallas Semiconductor
功能描述
1024K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DS1345YL-100-IND 技術(shù)參數(shù)

DS1345YL-100 功能描述:IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34LPM RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3）包裝:管件產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF) DS1345WP-150+ 功能描述:NVRAM 3.3V 1024K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1345WP-150 功能描述:NVRAM 3.3V 1024K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1345WP-100IND+ 功能描述:NVRAM 3.3V 1024K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1345WP-100IND 功能描述:NVRAM 3.3V 1024K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1347T+T&R DS1350ABP-100 DS1350ABP-70 DS1350ABP-70+ DS1350ABP-70IND DS1350BL-100 DS1350BL-70 DS1350BL-70IND DS1350WP-100+ DS1350WP-100IND DS1350WP-100IND+ DS1350WP-150 DS1350WP-150IND DS1350YL-100 DS1350YL-70 DS1350YL-70IND DS1350YP-100 DS1350YP-100+

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