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EC49120-33B6GL

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EC49120-33B6GL
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
E-COMS
SOT-89
2021+
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★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

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EC49120-33B6GL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

EC49120-33B6GL 技術參數

EC4407KF-TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:224 毫歐 @ 600mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-XFDFN 供應商器件封裝:0503（1308 公制）標準包裝:1 EC4406C-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.9 歐姆 @ 100mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:26pF @ 20V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-UFDFN 供應商器件封裝:4-ECSP1008 標準包裝:1 EC41/19/12-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件狀態:在售內核類型:EC 容差:- 間隙:- 材料:3C94 表面:無涂層供應商器件封裝:EC 41 x 19 x 12 高度:19.50mm 長度:41.60mm 寬度:11.60mm 直徑:- 標準包裝:300 EC350X 功能描述:GDT 350V 15% 5KA THROUGH HOLE 制造商:epcos (tdk) 系列:EC350X 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - DC 火花放電（標稱值）:350V 脈沖放電電流（8/20us）:5000A（5kA）容差:±15% 極數:2 故障短接:無安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向圓柱形標準包裝:100 EC35/17/10-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件狀態:在售內核類型:EC 容差:- 間隙:- 材料:3C94 表面:無涂層供應商器件封裝:EC 35 x 17 x 10 高度:17.30mm 長度:35.30mm 寬度:9.50mm 直徑:- 標準包裝:480 EC4986-000 EC4987-000 EC4988-000 EC4989-000 EC4990-000 EC4991-000 EC4992-000 EC4993-000 EC4994-000 EC4995-000 EC4996-000 EC4997-000 EC4998-000 EC4999-000 EC4H08C-TL-H EC4H09C-TL-H EC5 20G BTL EC5 500G BTL