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EC627863D-1L-E

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EC627863D-1L-E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
SANDBURST
BGA
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EC627863D-1L-E 技術參數

EC52/24/14-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件狀態:在售內核類型:EC 容差:- 間隙:- 材料:3C94 表面:無涂層供應商器件封裝:EC 52 x 24 x 14 高度:24.20mm 長度:52.20mm 寬度:13.40mm 直徑:- 標準包裝:200 EC4943-000 功能描述:11320000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件狀態:有效配件類型:載體，線纜和導線標記器配套使用產品/相關產品:K-Type? 線纜標記材料:PVC 特性:7 字符長標準包裝:500 EC4942-000 功能描述:11310000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件狀態:有效配件類型:載體，線纜和導線標記器配套使用產品/相關產品:K-Type? 線纜標記材料:PVC 特性:12 字符長標準包裝:500 EC4407KF-TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:224 毫歐 @ 600mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-XFDFN 供應商器件封裝:0503（1308 公制）標準包裝:1 EC4406C-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.9 歐姆 @ 100mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:26pF @ 20V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-UFDFN 供應商器件封裝:4-ECSP1008 標準包裝:1 EC6288-000 EC6289-000 EC6290-000 EC6291-000 EC6292-000 EC6293-000 EC6294-000 EC6295-000 EC6296-000 EC6297-000 EC6298-000 EC6299-000 EC6300-000 EC6301-000 EC6302-000 EC6303-000 EC6304-000 EC6305-000