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ECHS1H332FZ

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 2900

  • PANASONIC

  • ROHS

  • 1315+

  • -
  • 全新原裝正品 歡迎來電0755-8286...

  • ECHS1H332FZ
    ECHS1H332FZ

    ECHS1H332FZ

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 2850

  • PANASONIC

  • ROHS

  • 201333

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存,400-800-03...

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
ECHS1H332FZ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
ECHS1H332FZ 技術(shù)參數(shù)
  • ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A,2A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):93 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH-S1H393JZ ECH-S1H394GZ ECH-S1H394JZ ECH-S1H472GZ ECH-S1H472JZ ECH-S1H473GZ ECH-S1H473JZ ECH-S1H474GZ ECH-S1H474JZ ECH-S1H562GZ ECH-S1H562JZ ECH-S1H563GZ ECH-S1H563JZ ECH-S1H682GZ ECH-S1H682JZ ECH-S1H683GZ ECH-S1H683JZ ECH-S1H822GZ
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