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ECHU1C223GA5

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

ECHU1C223GA5
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Panasonic
2011
-
假一罰十，百分百原裝正品

ECHU1C223GA5
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
Panasonic
SMD
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨!

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ECHU1C223GA5 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

ECHU1C223GA5 技術(shù)參數(shù)

ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A，2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:93 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH-U1C273JX5 ECH-U1C331GX5 ECH-U1C331JX5 ECH-U1C332GX5 ECH-U1C332JB5 ECH-U1C332JX5 ECH-U1C333GX5 ECH-U1C333JB5 ECH-U1C333JX5 ECH-U1C391GX5 ECH-U1C391JX5 ECH-U1C392GX5 ECH-U1C392JB5 ECH-U1C392JX5 ECH-U1C393GX5 ECH-U1C393JB5 ECH-U1C393JX5 ECH-U1C471GX5