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GATHED

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GATHED 技術(shù)參數(shù)

GASSENSOREVM 功能描述:EVAL BOARD BLE SENSOR PLATFORM 制造商:texas instruments 系列:- 零件狀態(tài):在售類型:收發(fā)器; 智能低功耗（BLE）藍牙? 4.x 頻率:2.4GHz 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:CC2541 所含物品:板標準包裝:1 GAP3SLT33-220FP 功能描述:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:3300V（3.3kV）電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 300mA 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3300V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:42pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標準包裝:500 GAP3SLT33-214 功能描述:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:3300V（3.3kV）電流 - 平均整流（Io）:300mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.2V @ 300mA 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3300V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:42pF @ 1V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應(yīng)商器件封裝:DO-214AA 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 GAP05SLT80-220 功能描述:DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:8000V（8kV）電流 - 平均整流（Io）:50mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:4.6V @ 50mA 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3.8μA @ 8000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應(yīng)商器件封裝:- 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標準包裝:10 GAN FET BOOK-WIPO 功能描述:TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK 制造商:epc 系列:- 零件狀態(tài):過期配件類型:導軌配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:- 標準包裝:1 GB DASPA1.13-DTEP-24-1 GB DASPA1.13-DTEP-24-1-100-R18 GB DASPA1.13-DTEP-24-KN-100-R18-XX GB DASPA1.13-DU-3-M-100-R18-XX GB DASPA1.13-DUEP-3-1-100-R18-XX GB DASPA1.13-DUEP-34-1-100-R18-LM GB DASPA1.13-DUEP-34-1-100-R18-XX GB DASPA1.13-DUEP-34-MN-100-R18-LM GB DASPA1.13-DUEQ-25-1 GB DASPA1.13-DUEQ-25-1-100-R18-LM GB DASPA1.13-DUEQ-25-KM-100-R18-LM GB DASPA1.13-DUEQ-34-LP-100-R18-CK GB DASPA2.13-DUEQ-24-LM-100-R18 GB015Z101MA6N GB01SLT06-214 GB01SLT12-214 GB01SLT12-220 GB01SLT12-252