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GAW101A-V1.0

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GAW101A-V1.0
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
TI
QFP
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GAW101A-V1.0 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

GAW101A-V1.0 技術參數

GASSENSOREVM 功能描述:EVAL BOARD BLE SENSOR PLATFORM 制造商:texas instruments 系列:- 零件狀態:在售類型:收發器; 智能低功耗（BLE）藍牙? 4.x 頻率:2.4GHz 配套使用產品/相關產品:CC2541 所含物品:板標準包裝:1 GAP3SLT33-220FP 功能描述:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:3300V（3.3kV）電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 300mA 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3300V 不同?Vr，F 時的電容:42pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 整包供應商器件封裝:TO-220FP 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:500 GAP3SLT33-214 功能描述:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:3300V（3.3kV）電流 - 平均整流（Io）:300mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.2V @ 300mA 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3300V 不同?Vr，F 時的電容:42pF @ 1V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:DO-214AA 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 GAP05SLT80-220 功能描述:DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:8000V（8kV）電流 - 平均整流（Io）:50mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:4.6V @ 50mA 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3.8μA @ 8000V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:10 GAN FET BOOK-WIPO 功能描述:TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK 制造商:epc 系列:- 零件狀態:過期配件類型:導軌配套使用產品/相關產品:- 標準包裝:1 GB DASPA1.13-DTEP-24-1 GB DASPA1.13-DTEP-24-1-100-R18 GB DASPA1.13-DTEP-24-KN-100-R18-XX GB DASPA1.13-DU-3-M-100-R18-XX GB DASPA1.13-DUEP-3-1-100-R18-XX GB DASPA1.13-DUEP-34-1-100-R18-LM GB DASPA1.13-DUEP-34-1-100-R18-XX GB DASPA1.13-DUEP-34-MN-100-R18-LM GB DASPA1.13-DUEQ-25-1 GB DASPA1.13-DUEQ-25-1-100-R18-LM GB DASPA1.13-DUEQ-25-KM-100-R18-LM GB DASPA1.13-DUEQ-34-LP-100-R18-CK GB DASPA2.13-DUEQ-24-LM-100-R18 GB015Z101MA6N GB01SLT06-214 GB01SLT12-214 GB01SLT12-220 GB01SLT12-252