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HMC351MS8

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HMC351MS8 技術參數

HMC349MS8GE 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 8-MSOP-EP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期頻率?- 下:DC 頻率?- 上:4GHz 隔離 @ 頻率:47dB @ 4GHz（標準）插損 @ 頻率:1.8dB @ 4GHz IIP3:47dBm（標準）拓撲:吸收性電路:SPDT P1dB:31dBm（標準） IP1dB 特性:- 阻抗:50 歐姆工作溫度:-40°C ~ 85°C 電壓 - 電源:5V RF 類型:通用封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸焊盤供應商器件封裝:8-MSOP-EP 標準包裝:1 HMC349LP4CE 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 16-QFN (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期頻率?- 下:DC 頻率?- 上:4GHz 隔離 @ 頻率:62dB @ 4GHz（標準）插損 @ 頻率:1.4dB @ 4GHz IIP3:46dBm（標準）拓撲:吸收性電路:SPDT P1dB:31dBm（標準） IP1dB 特性:- 阻抗:50 歐姆工作溫度:-40°C ~ 125°C 電壓 - 電源:5V RF 類型:通用封裝/外殼:16-VQFN 裸露焊盤供應商器件封裝:16-QFN（4x4）標準包裝:1 HMC349AMS8GETR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 8-MSG 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效頻率?- 下:DC 頻率?- 上:4GHz 隔離 @ 頻率:50dB @ 3GHz（標準）插損 @ 頻率:1.2dB @ 3GHz IIP3:53dBm（標準）拓撲:- 電路:SPDT P1dB:34dBm 特性:- 阻抗:50 歐姆工作溫度:-40°C ~ 85°C 電壓 - 電源:5V RF 類型:通用封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸焊盤供應商器件封裝:8-MSG 標準包裝:1 HMC349AMS8GE 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 8-MSG 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效頻率?- 下:DC 頻率?- 上:4GHz 隔離 @ 頻率:50dB @ 3GHz（標準）插損 @ 頻率:1.2dB @ 3GHz IIP3:53dBm（最小）拓撲:- 電路:SPDT P1dB:34dBm 特性:- 阻抗:50 歐姆工作溫度:-40°C ~ 85°C 電壓 - 電源:5V RF 類型:通用封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸焊盤供應商器件封裝:8-MSG 標準包裝:1 HMC349ALP4CETR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 16-QFN (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效頻率?- 下:DC 頻率?- 上:4GHz 隔離 @ 頻率:62dB @ 4GHz（標準）插損 @ 頻率:1.4dB @ 4GHz IIP3:53dBm（標準）拓撲:- 電路:SPDT P1dB:34dBm 特性:- 阻抗:50 歐姆工作溫度:-40°C ~ 85°C 電壓 - 電源:5V RF 類型:通用封裝/外殼:16-VQFN 裸露焊盤供應商器件封裝:16-QFN（4x4）標準包裝:1 HMC3587LP3BETR HMC358MS8GE HMC358MS8GETR HMC35DRAH HMC35DRAH-S734 HMC35DRAI HMC35DRAI-S734 HMC35DRAN HMC35DRAN-S734 HMC35DRAS HMC35DRAS-S734 HMC35DREF HMC35DREF-S13 HMC35DREF-S734 HMC35DREH HMC35DREH-S13 HMC35DREH-S734 HMC35DREH-S93