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L6451/2

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L6451/2
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
ST
PLCC-44P
99+
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假一罰十，百分百原裝正品

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L6451/2 技術(shù)參數(shù)

L6451 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 28-Channel Ink Jet RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube L6399DTR 功能描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售驅(qū)動(dòng)配置:半橋通道類型:獨(dú)立式驅(qū)動(dòng)器數(shù):2 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.1V，1.9V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:290mA，430mA 輸入類型:非反相高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:600V 上升/下降時(shí)間（典型值）:75ns，35ns 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 L6398DTR 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 600V 290 mA Source 430 mA sink BCD RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube L6398D 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC High Volt 600V Rail Off Line 3.3V RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube L6395DTR 功能描述:IC GATE DVR HV BCD OFFLINE 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 驅(qū)動(dòng)配置:半橋通道類型:獨(dú)立式驅(qū)動(dòng)器數(shù):2 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.1V，1.9V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:290mA，430mA 輸入類型:非反相高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:600V 上升/下降時(shí)間（典型值）:75ns，35ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 L6472PD L6472PDTR L6474H L6474HTR L6474PD L6474PDTR L6480H L6480HTR L6482H L6482HTR L6491D L6491DTR L6494L L6494LD L6494LDTR L6494LTR L6498D L6498DTR

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