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PDTC114TU115

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PDTC114TU115
優勢
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/周小姐/高先生
電話：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
4300
NXP
SOT323
22+
-
授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

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您是不是要找： PDTC114YE,115 PDTC114YE,135 PDTC114YEF,115 PDTC114YK,115 PDTC114YM,315 PDTC114YMB,315 PDTC114YQAZ PDTC114YS,126 PDTC114YT,215

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制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
制造商
NXP
功能描述
制造商
NXP Semiconductors
功能描述

PDTC114TU115 技術參數

PDTC114TU,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323-3 基本零件編號:PDTC114 標準包裝:1 PDTC114TT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）基本零件編號:PDTC114 標準包裝:1 PDTC114TM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC114 標準包裝:1 PDTC114TEF,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:SC-89 標準包裝:1 PDTC114TE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTC114YTVL PDTC114YU,115 PDTC114YUF PDTC115EE,115 PDTC115EEF,115 PDTC115EK,115 PDTC115EM,315 PDTC115EMB,315 PDTC115ES,126 PDTC115ET,215 PDTC115EU,115 PDTC115EUF PDTC115TE,115 PDTC115TK,115 PDTC115TM,315 PDTC115TMB,315 PDTC115TS,126 PDTC115TT,215