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PDTC115EM315

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制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
制造商
NXP
功能描述
制造商
NXP Semiconductors
功能描述

PDTC115EM315 技術(shù)參數(shù)

PDTC115EM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC115 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC115EEF,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:100k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:100k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SC-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC115EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:100k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:100k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC114YU,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 基本零件編號:PDTC114 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC114YT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）基本零件編號:PDTC114 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC115TS,126 PDTC115TT,215 PDTC115TU,115 PDTC123EE,115 PDTC123EEF,115 PDTC123EK,115 PDTC123EM,315 PDTC123EMB,315 PDTC123ES,126 PDTC123ET,215 PDTC123ETVL PDTC123EU,115 PDTC123JE,115 PDTC123JK,115 PDTC123JM,315 PDTC123JMB,315 PDTC123JQAZ PDTC123JS,126