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PH28F640W18TD

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PH28F640W18TD 技術參數

PH28F320W18BE60A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 60NS VFBGA PH2731-75L 功能描述:TRANSISTOR BIPOLAR 2.7-3.1GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:8.16dB ~ 8.86dB 功率 - 最大值:75W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:6 PH2729-25M 功能描述:TRANS BIPOLAR 25W 2.7-2.9GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:9.2dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:6 PH2729-130M 功能描述:TRANSISTOR 130WPK 2.7-2.9GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:63V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:9.73dB ~ 8.85dB 功率 - 最大值:130W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12.5A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:6 PH2625L,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4308pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PH300A28012/T PH300A28024 PH300A28024/T PH300A28028 PH300A28028/T PH300A28048 PH300A28048/T PH300F110-12 PH300F110-15 PH300F110-2 PH300F110-24 PH300F110-28 PH300F110-3 PH300F110-5 PH300F24-12 PH300F24-28 PH300F280-12 PH300F280-15