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PH5030AL.115

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PH5030AL.115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PH5030AL.115 技術參數

PH4840S,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:最後搶購 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:94.5A（Tc）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3660pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PH4530L,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1972pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 PH3N-76.2-25.4-0.07-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3n 零件狀態:有效類型:散熱片冷卻封裝:分類（BGA，LGA，CPU，ASIC……）接合方法:膠合劑形狀:矩形長度:3.000"（76.20mm）寬度:1.000"（25.40mm）直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.003"（0.07mm）不同溫升時功率耗散:- 不同強制氣流時的熱阻:- 自然條件下熱阻:- 材料:銅材料鍍層:聚酯標準包裝:1 PH3N-76.2-25.4-0.062-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3n 零件狀態:有效類型:散熱片冷卻封裝:分類（BGA，LGA，CPU，ASIC……）接合方法:膠合劑形狀:矩形長度:3.000"（76.20mm）寬度:1.000"（25.40mm）直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.002"（0.06mm）不同溫升時功率耗散:- 不同強制氣流時的熱阻:- 自然條件下熱阻:- 材料:銅材料鍍層:聚酯標準包裝:1 PH3N-76.2-19.1-0.07-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3n 零件狀態:有效類型:散熱片冷卻封裝:分類（BGA，LGA，CPU，ASIC……）接合方法:膠合劑形狀:矩形長度:3.000"（76.20mm）寬度:0.750"（19.05mm）直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.003"（0.07mm）不同溫升時功率耗散:- 不同強制氣流時的熱阻:- 自然條件下熱阻:- 材料:銅材料鍍層:聚酯標準包裝:1 PH50S110-5 PH50S2412 PH50S24-15 PH50S24-24 PH50S24-28 PH50S245 PH50S24-5 PH50S280-12 PH50S280-15 PH50S280-24 PH50S280-28 PH50S280-3.3 PH50S280-5 PH50S48-12 PH50S48-15 PH50S48-24 PH50S48-28 PH50S48-3.3