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PHP79NQ08LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 73A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:73A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3026pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:157W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP45NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 105V 47A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:105V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2930pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP45NQ10T,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP36N03LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 43.4A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:43.4A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:690pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:57.6W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP33NQ20T,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32.7A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1870pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:77 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHPF19008BK2 PHPF19008CG2 PHPF19008LG2 PHPF19012BK2 PHPF19012CG2 PHPF19012LG2 PHPLUS PHPT60406NYX PHPT60406PYX PHPT60410NYX PHPT60410PYX PHPT60415NYX PHPT60415PYX PHPT60603NYX PHPT60603PYX PHPT60606NYX PHPT60606PYX PHPT60610NYX