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PMR400UN115

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 30V 0.8A SOT416

PMR400UN115 技術(shù)參數(shù)

PMR400UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.8A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:800mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:480 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:530mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR370XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:840mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:440 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.65nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:37pF @ 25V 功率 - 最大值:530mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR290XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:970mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:34pF @ 20V 功率 - 最大值:530mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR290UNE,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 700MA SC-75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:700mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:83pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR280UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.98A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:980mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:340 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:45pF @ 20V 功率 - 最大值:530mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR4ADW6.0 PMR4ADW6.0-CC PMR4BWD PMR4BWDW6.0 PMR4GD PMR4GDW4.0-CC PMR4GDW6.0 PMR4GDW6.0-CC PMR4HD PMR4HDW6.0 PMR4PGD PMR4PGDW2.0 PMR4PGDW6.0 PMR4PGDW6.0-CC PMR4RD PMR4RDW2.0 PMR4RDW6.0 PMR-4V320WCAA

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