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PMV213SN.

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N SOT-23

PMV213SN. 技術參數

PMV213SN,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.9A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:330pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:280mW（Tj）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV20XNER 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1150pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）, 6.94W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 5.7A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV20XNEAR 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.3A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:930pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）, 6.94W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 6.3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV20XN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.8A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 4.8A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:585pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標準包裝:1 PMV20ENR 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:435pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）, 6.94W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV2-4FB-C PMV2-4RB-3K PMV2-4RB-C PMV2-4RB-X PMV250EPEAR PMV25ENEAR PMV2-5FB-3K PMV2-5FB-C PMV2-5RB-3K PMV2-5RB-C PMV2-5RB-X PMV2-6FB-3K PMV2-6FB-C PMV2-6RB-3K PMV2-6RB-C PMV2-6RB-X PMV27UPEAR PMV27UPER