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PSMN9R5-100PS,127

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PSMN9R5-100PS,127
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

PSMN9R5-100PS,127
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
367337
NEXPERIA
con
24+
-

PSMN9R5-100PS,127
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
367337
NEXPERIA
con
24+
-

PSMN9R5-100PS,127
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
367337
NEXPERIA
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

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您是不是要找： PSMN9R5-100XS,127 PSMN9R5-30YLC,115 PSMN9R8-30MLC,115 PSMNR90-30BL,118 PSM-N-Y PSM-O-Y PS-MP PSMP-FSBA-1000 PSMP-FSBA-1042

PSMN9R5-100PS,127 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PSMN9R5-100PS,127 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

PSMN9R5-100PS,127 技術參數

PSMN9R5-100BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:89A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:82nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:211W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN9R1-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:57A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:894pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:52W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.1 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN9R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:61A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1006pF @ 12V 功率 - 最大值:46W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 PSMN9R0-30LL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1193pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:8-DFN3333（3.3x3.3）標準包裝:1 PSMN9R0-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:46A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.1 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:694pF @ 12V 功率 - 最大值:34W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 PSMP-FSBA-1175 PSMP-FSBA-1755 PSMP-FSBA-1970 PSMP-FSBA-2380 PSMP-FSBA-2580 PSMP-MSLD-CSB PSMP-MSLD-PCE PSMP-MSLD-PCS PSMP-MSLD-PCSEM PSMP-MSLD-PCT1R PSMP-MSLD-PCT25 PSMP-MSLD-PCT35 PSMP-MSLD-PCTEM PSMP-MSSB-CSB PSMP-MSSB-PCS PSMP-MSSB-PCT1R PSMP-MSSB-PCT35 PSM-P-Y