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QB-70F3532

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制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
IECUBE V850E2M DX4 POD

QB-70F3532 技術(shù)參數(shù)

QB3725A60WSTC 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售類型:散熱片冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座形狀:矩形寬度:0.245"（6.22mm）直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.060"（1.52mm）不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:6°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB2525A60WSTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售類型:散熱片冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座形狀:矩形長(zhǎng)度:0.240"（6.10mm）寬度:0.250"（6.35mm）直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.060"（1.52mm）不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:4°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB2010A60WSTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售類型:散熱片冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座形狀:矩形長(zhǎng)度:0.195"（4.95mm）寬度:0.095"（2.41mm）直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.060"（1.52mm）不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:10°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB1111A40WYTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售類型:散熱片冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座形狀:矩形長(zhǎng)度:0.110"（2.79mm）寬度:0.110"（2.79mm）直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.040"（1.02mm）不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:7°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB1005A40WYTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售類型:散熱片冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座形狀:矩形長(zhǎng)度:0.100"（2.54mm）寬度:0.050"（1.27mm）直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.040"（1.02mm）不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:13°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB-78K0KX1H-T30MC QB-78K0KX1H-T44GB QB-78K0KX1H-T64GB QB-78K0KX1H-ZZZ QB-78K0KX2-ZZZ QB-78K0LF3-TB QB-78K0LG3M-TB QB-78K0LX2-ZZZ QB-78K0RFG3-TB QB-78K0RFX3-T38MC QB-78K0RFX3-ZZZ QB-78K0RIE3-TB QB-78K0RKE3L-TB QB-78K0RKG3L-TB QB-78K0RKG3-TB QB-78K0RKX3-T64GC QB-78K0RKX3-ZZZ QB-78K0RLG3M-TB